1、当前为什么要大力发展磁存储技术？

当前我们正处在大数据和人工智能时代，全球数据量呈现爆炸式增长，这直接带来了两个非常严峻的挑战：算力跟不上、能耗急剧攀升。大家在生活中也能感受到，这几年内存、硬盘经常紧缺，价格成倍上涨，背后就是存储能力跟不上数据增长速度的缘故。诺贝尔物理学奖得主Fert教授曾在2024年预言：“到2030年，信息存储与处理的总能耗将占全球总能耗的20%。” 这也意味着，超快速度、超高密度、超低功耗，已经成为新一代信息技术最核心的发展需求。而磁存储技术以磁体自旋作为信息载体，具备读写速度快、抗辐照能力强和稳定性好等独特优势，是支撑新一代信息技术发展的主流方案之一。所以必须得大力发展。

2、什么是交错磁体？在应用上它厉害在哪儿？

长期以来，磁存储技术一直面临一个两难困境：传统的铁磁材料，用电读写很方便，但自带杂散磁场，材料之间会互相干扰，存储密度做不高，速度也存在理论上限；而反铁磁材料虽然没有杂散场、响应速度可以达到太赫兹级别，但很难用电实现高效读写和控制。过去大家普遍认为，铁磁和反铁磁的特性是相互对立、无法融合的，所以这个瓶颈一直没能取得很好突破。

交错磁体的出现，彻底打破了这一传统认知。它同时融合了铁磁和反铁磁的优势：没有杂散场、响应速度超快，还能方便地实现电学读写，完美契合 “超快、高密度、低功耗” 的存储需求。因此交错磁体也被公认为是新一代磁存储最理想的材料体系，也成为当前国际材料物理和磁学领域的前沿研究热点。

我们团队在 2022 年首次通过实验验证了交错磁体的交错自旋劈裂力矩效应，被国际同行评价为验证交错磁体概念的“原创性实验”；相关研究成果也推动交错磁体材料的发现入选了国际期刊《科学》2024 年度十大科学突破。

3、我国在交错磁体研究领域处于什么水平？

在交错磁体这一前沿领域，我们可以非常自豪地说：中国已经处在世界第一梯队。从交错磁体的发现、理论预言，到实验验证、基础物性研究，我国科学家都做出了大量原创性、引领性的工作，整体研究水平位居国际前列。

以我们团队为例，一旦实现对这类新型磁性材料的高效电学操控，就将为我国在磁存储技术、太赫兹通信等关键战略领域，提供弯道超车的难得机遇。

4、介绍一下团队在2025年发表在Nature上的交错磁体研究成果

在国家基金委项目和北京市非共识项目的支持下，我们团队取得了一项国际首次的重要突破。我们首次明确并验证了：晶体对称性是交错磁体最核心的 “指纹” 特征，也是调控这类材料物态的根本维度。基于这一发现，我们研发出能够在室温下稳定工作的交错磁体材料 ——锑化铬（CrSb），并通过调控晶格结构变化引发磁空间群切换，在国际上首次实现了交错磁体的全电学读写。这样就意味着存储器件无需磁场就能独立工作。这项工作首次完整揭示了交错磁序的物理本质，为交错磁体成为一个独立的新型磁性门类，提供了关键性的实验证据。

一会儿大家参观的清华大学微纳加工中心，里面有一套很有特色的设备，真空互联系统，这是在北京市高精尖项目的支持下，从2015-2021年近6年的时间搭建成功的，正是制备这类关键材料的核心平台。

5、请介绍一下你们团队最近发表在Nature期刊的新成果

我们团队另一项重大突破，是在零磁场条件下，实现了手性反铁磁序的高效电学操控。在此之前，日本等国际研究团队长期在这一领域占据主导，他们的研究大多需要外加磁场才能实现磁序翻转。但这种方式存在一个核心矛盾：新一代存储追求超高集成密度，磁场源很难微型化，对磁场的高度依赖，严重制约了实际应用。直面这一关键难题，我们团队使用真空互联系统的分子束外延技术，采用全新的同质结设计思路，首次整合了手性反铁磁 “非共线自旋指纹” 的两个核心维度，利用非常规自旋流驱动了手性反铁磁序非常规的磁动力学过程。

最终，我们在完全不加外磁场的条件下，实现了手性反铁磁序100% 完全翻转，操控效率也得到大幅提升。同时，我们从理论上破解了手性反铁磁电学操控的 “效率密码”，这一机制也为其他类似材料体系提供了重要参考。实验结果表明，手性反铁磁的电学翻转效率明显优于传统铁磁和反铁磁，为研发超高密度、超快速度、超低功耗的新一代磁存储器，奠定了关键技术基础。

未来，我们团队将继续紧扣国家重大战略需求，重点推进两方面工作：一是加快交错磁体、手性反铁磁两类核心材料的器件化研究，重点攻关磁隧道结、太赫兹纳米振荡器等关键原型器件；二是推动基础研究成果向实际应用转化，力争早日在新一代存储芯片、高灵敏传感器、太赫兹通信器件等方向实现关键技术突破。这些研究一旦取得成功，将有力支撑我国在先进存储、太赫兹技术、人工智能产业等领域实现高质量发展。

1、当前为什么要大力发展磁存储技术？

当前我们正处在大数据和人工智能时代，全球数据量呈现爆炸式增长，这直接带来了两个非常严峻的挑战：算力跟不上、能耗急剧攀升。大家在生活中也能感受到，这几年内存、硬盘经常紧缺，价格成倍上涨，背后就是存储能力跟不上数据增长速度的缘故。诺贝尔物理学奖得主Fert教授曾在2024年预言：“到2030年，信息存储与处理的总能耗将占全球总能耗的20%。” 这也意味着，超快速度、超高密度、超低功耗，已经成为新一代信息技术最核心的发展需求。而磁存储技术以磁体自旋作为信息载体，具备读写速度快、抗辐照能力强和稳定性好等独特优势，是支撑新一代信息技术发展的主流方案之一。所以必须得大力发展。

2、什么是交错磁体？在应用上它厉害在哪儿？

长期以来，磁存储技术一直面临一个两难困境：传统的铁磁材料，用电读写很方便，但自带杂散磁场，材料之间会互相干扰，存储密度做不高，速度也存在理论上限；而反铁磁材料虽然没有杂散场、响应速度可以达到太赫兹级别，但很难用电实现高效读写和控制。过去大家普遍认为，铁磁和反铁磁的特性是相互对立、无法融合的，所以这个瓶颈一直没能取得很好突破。

交错磁体的出现，彻底打破了这一传统认知。它同时融合了铁磁和反铁磁的优势：没有杂散场、响应速度超快，还能方便地实现电学读写，完美契合 “超快、高密度、低功耗” 的存储需求。因此交错磁体也被公认为是新一代磁存储最理想的材料体系，也成为当前国际材料物理和磁学领域的前沿研究热点。

我们团队在 2022 年首次通过实验验证了交错磁体的交错自旋劈裂力矩效应，被国际同行评价为验证交错磁体概念的“原创性实验”；相关研究成果也推动交错磁体材料的发现入选了国际期刊《科学》2024 年度十大科学突破。

3、我国在交错磁体研究领域处于什么水平？

在交错磁体这一前沿领域，我们可以非常自豪地说：中国已经处在世界第一梯队。从交错磁体的发现、理论预言，到实验验证、基础物性研究，我国科学家都做出了大量原创性、引领性的工作，整体研究水平位居国际前列。

以我们团队为例，一旦实现对这类新型磁性材料的高效电学操控，就将为我国在磁存储技术、太赫兹通信等关键战略领域，提供弯道超车的难得机遇。

4、介绍一下团队在2025年发表在Nature上的交错磁体研究成果

在国家基金委项目和北京市非共识项目的支持下，我们团队取得了一项国际首次的重要突破。我们首次明确并验证了：晶体对称性是交错磁体最核心的 “指纹” 特征，也是调控这类材料物态的根本维度。基于这一发现，我们研发出能够在室温下稳定工作的交错磁体材料 ——锑化铬（CrSb），并通过调控晶格结构变化引发磁空间群切换，在国际上首次实现了交错磁体的全电学读写。这样就意味着存储器件无需磁场就能独立工作。这项工作首次完整揭示了交错磁序的物理本质，为交错磁体成为一个独立的新型磁性门类，提供了关键性的实验证据。

一会儿大家参观的清华大学微纳加工中心，里面有一套很有特色的设备，真空互联系统，这是在北京市高精尖项目的支持下，从2015-2021年近6年的时间搭建成功的，正是制备这类关键材料的核心平台。

5、请介绍一下你们团队最近发表在Nature期刊的新成果

我们团队另一项重大突破，是在零磁场条件下，实现了手性反铁磁序的高效电学操控。在此之前，日本等国际研究团队长期在这一领域占据主导，他们的研究大多需要外加磁场才能实现磁序翻转。但这种方式存在一个核心矛盾：新一代存储追求超高集成密度，磁场源很难微型化，对磁场的高度依赖，严重制约了实际应用。直面这一关键难题，我们团队使用真空互联系统的分子束外延技术，采用全新的同质结设计思路，首次整合了手性反铁磁 “非共线自旋指纹” 的两个核心维度，利用非常规自旋流驱动了手性反铁磁序非常规的磁动力学过程。

最终，我们在完全不加外磁场的条件下，实现了手性反铁磁序100% 完全翻转，操控效率也得到大幅提升。同时，我们从理论上破解了手性反铁磁电学操控的 “效率密码”，这一机制也为其他类似材料体系提供了重要参考。实验结果表明，手性反铁磁的电学翻转效率明显优于传统铁磁和反铁磁，为研发超高密度、超快速度、超低功耗的新一代磁存储器，奠定了关键技术基础。

未来，我们团队将继续紧扣国家重大战略需求，重点推进两方面工作：一是加快交错磁体、手性反铁磁两类核心材料的器件化研究，重点攻关磁隧道结、太赫兹纳米振荡器等关键原型器件；二是推动基础研究成果向实际应用转化，力争早日在新一代存储芯片、高灵敏传感器、太赫兹通信器件等方向实现关键技术突破。这些研究一旦取得成功，将有力支撑我国在先进存储、太赫兹技术、人工智能产业等领域实现高质量发展。

1、当前为什么要大力发展磁存储技术？

当前我们正处在大数据和人工智能时代，全球数据量呈现爆炸式增长，这直接带来了两个非常严峻的挑战：算力跟不上、能耗急剧攀升。大家在生活中也能感受到，这几年内存、硬盘经常紧缺，价格成倍上涨，背后就是存储能力跟不上数据增长速度的缘故。诺贝尔物理学奖得主Fert教授曾在2024年预言：“到2030年，信息存储与处理的总能耗将占全球总能耗的20%。” 这也意味着，超快速度、超高密度、超低功耗，已经成为新一代信息技术最核心的发展需求。而磁存储技术以磁体自旋作为信息载体，具备读写速度快、抗辐照能力强和稳定性好等独特优势，是支撑新一代信息技术发展的主流方案之一。所以必须得大力发展。

2、什么是交错磁体？在应用上它厉害在哪儿？

长期以来，磁存储技术一直面临一个两难困境：传统的铁磁材料，用电读写很方便，但自带杂散磁场，材料之间会互相干扰，存储密度做不高，速度也存在理论上限；而反铁磁材料虽然没有杂散场、响应速度可以达到太赫兹级别，但很难用电实现高效读写和控制。过去大家普遍认为，铁磁和反铁磁的特性是相互对立、无法融合的，所以这个瓶颈一直没能取得很好突破。

交错磁体的出现，彻底打破了这一传统认知。它同时融合了铁磁和反铁磁的优势：没有杂散场、响应速度超快，还能方便地实现电学读写，完美契合 “超快、高密度、低功耗” 的存储需求。因此交错磁体也被公认为是新一代磁存储最理想的材料体系，也成为当前国际材料物理和磁学领域的前沿研究热点。

我们团队在 2022 年首次通过实验验证了交错磁体的交错自旋劈裂力矩效应，被国际同行评价为验证交错磁体概念的“原创性实验”；相关研究成果也推动交错磁体材料的发现入选了国际期刊《科学》2024 年度十大科学突破。

3、我国在交错磁体研究领域处于什么水平？

在交错磁体这一前沿领域，我们可以非常自豪地说：中国已经处在世界第一梯队。从交错磁体的发现、理论预言，到实验验证、基础物性研究，我国科学家都做出了大量原创性、引领性的工作，整体研究水平位居国际前列。

以我们团队为例，一旦实现对这类新型磁性材料的高效电学操控，就将为我国在磁存储技术、太赫兹通信等关键战略领域，提供弯道超车的难得机遇。

4、介绍一下团队在2025年发表在Nature上的交错磁体研究成果

在国家基金委项目和北京市非共识项目的支持下，我们团队取得了一项国际首次的重要突破。我们首次明确并验证了：晶体对称性是交错磁体最核心的 “指纹” 特征，也是调控这类材料物态的根本维度。基于这一发现，我们研发出能够在室温下稳定工作的交错磁体材料 ——锑化铬（CrSb），并通过调控晶格结构变化引发磁空间群切换，在国际上首次实现了交错磁体的全电学读写。这样就意味着存储器件无需磁场就能独立工作。这项工作首次完整揭示了交错磁序的物理本质，为交错磁体成为一个独立的新型磁性门类，提供了关键性的实验证据。

一会儿大家参观的清华大学微纳加工中心，里面有一套很有特色的设备，真空互联系统，这是在北京市高精尖项目的支持下，从2015-2021年近6年的时间搭建成功的，正是制备这类关键材料的核心平台。

5、请介绍一下你们团队最近发表在Nature期刊的新成果

我们团队另一项重大突破，是在零磁场条件下，实现了手性反铁磁序的高效电学操控。在此之前，日本等国际研究团队长期在这一领域占据主导，他们的研究大多需要外加磁场才能实现磁序翻转。但这种方式存在一个核心矛盾：新一代存储追求超高集成密度，磁场源很难微型化，对磁场的高度依赖，严重制约了实际应用。直面这一关键难题，我们团队使用真空互联系统的分子束外延技术，采用全新的同质结设计思路，首次整合了手性反铁磁 “非共线自旋指纹” 的两个核心维度，利用非常规自旋流驱动了手性反铁磁序非常规的磁动力学过程。

最终，我们在完全不加外磁场的条件下，实现了手性反铁磁序100% 完全翻转，操控效率也得到大幅提升。同时，我们从理论上破解了手性反铁磁电学操控的 “效率密码”，这一机制也为其他类似材料体系提供了重要参考。实验结果表明，手性反铁磁的电学翻转效率明显优于传统铁磁和反铁磁，为研发超高密度、超快速度、超低功耗的新一代磁存储器，奠定了关键技术基础。

未来，我们团队将继续紧扣国家重大战略需求，重点推进两方面工作：一是加快交错磁体、手性反铁磁两类核心材料的器件化研究，重点攻关磁隧道结、太赫兹纳米振荡器等关键原型器件；二是推动基础研究成果向实际应用转化，力争早日在新一代存储芯片、高灵敏传感器、太赫兹通信器件等方向实现关键技术突破。这些研究一旦取得成功，将有力支撑我国在先进存储、太赫兹技术、人工智能产业等领域实现高质量发展。

1、当前为什么要大力发展磁存储技术？

当前我们正处在大数据和人工智能时代，全球数据量呈现爆炸式增长，这直接带来了两个非常严峻的挑战：算力跟不上、能耗急剧攀升。大家在生活中也能感受到，这几年内存、硬盘经常紧缺，价格成倍上涨，背后就是存储能力跟不上数据增长速度的缘故。诺贝尔物理学奖得主Fert教授曾在2024年预言：“到2030年，信息存储与处理的总能耗将占全球总能耗的20%。” 这也意味着，超快速度、超高密度、超低功耗，已经成为新一代信息技术最核心的发展需求。而磁存储技术以磁体自旋作为信息载体，具备读写速度快、抗辐照能力强和稳定性好等独特优势，是支撑新一代信息技术发展的主流方案之一。所以必须得大力发展。

2、什么是交错磁体？在应用上它厉害在哪儿？

长期以来，磁存储技术一直面临一个两难困境：传统的铁磁材料，用电读写很方便，但自带杂散磁场，材料之间会互相干扰，存储密度做不高，速度也存在理论上限；而反铁磁材料虽然没有杂散场、响应速度可以达到太赫兹级别，但很难用电实现高效读写和控制。过去大家普遍认为，铁磁和反铁磁的特性是相互对立、无法融合的，所以这个瓶颈一直没能取得很好突破。

交错磁体的出现，彻底打破了这一传统认知。它同时融合了铁磁和反铁磁的优势：没有杂散场、响应速度超快，还能方便地实现电学读写，完美契合 “超快、高密度、低功耗” 的存储需求。因此交错磁体也被公认为是新一代磁存储最理想的材料体系，也成为当前国际材料物理和磁学领域的前沿研究热点。

我们团队在 2022 年首次通过实验验证了交错磁体的交错自旋劈裂力矩效应，被国际同行评价为验证交错磁体概念的“原创性实验”；相关研究成果也推动交错磁体材料的发现入选了国际期刊《科学》2024 年度十大科学突破。

3、我国在交错磁体研究领域处于什么水平？

在交错磁体这一前沿领域，我们可以非常自豪地说：中国已经处在世界第一梯队。从交错磁体的发现、理论预言，到实验验证、基础物性研究，我国科学家都做出了大量原创性、引领性的工作，整体研究水平位居国际前列。

以我们团队为例，一旦实现对这类新型磁性材料的高效电学操控，就将为我国在磁存储技术、太赫兹通信等关键战略领域，提供弯道超车的难得机遇。

4、介绍一下团队在2025年发表在Nature上的交错磁体研究成果

在国家基金委项目和北京市非共识项目的支持下，我们团队取得了一项国际首次的重要突破。我们首次明确并验证了：晶体对称性是交错磁体最核心的 “指纹” 特征，也是调控这类材料物态的根本维度。基于这一发现，我们研发出能够在室温下稳定工作的交错磁体材料 ——锑化铬（CrSb），并通过调控晶格结构变化引发磁空间群切换，在国际上首次实现了交错磁体的全电学读写。这样就意味着存储器件无需磁场就能独立工作。这项工作首次完整揭示了交错磁序的物理本质，为交错磁体成为一个独立的新型磁性门类，提供了关键性的实验证据。

一会儿大家参观的清华大学微纳加工中心，里面有一套很有特色的设备，真空互联系统，这是在北京市高精尖项目的支持下，从2015-2021年近6年的时间搭建成功的，正是制备这类关键材料的核心平台。

5、请介绍一下你们团队最近发表在Nature期刊的新成果

我们团队另一项重大突破，是在零磁场条件下，实现了手性反铁磁序的高效电学操控。在此之前，日本等国际研究团队长期在这一领域占据主导，他们的研究大多需要外加磁场才能实现磁序翻转。但这种方式存在一个核心矛盾：新一代存储追求超高集成密度，磁场源很难微型化，对磁场的高度依赖，严重制约了实际应用。直面这一关键难题，我们团队使用真空互联系统的分子束外延技术，采用全新的同质结设计思路，首次整合了手性反铁磁 “非共线自旋指纹” 的两个核心维度，利用非常规自旋流驱动了手性反铁磁序非常规的磁动力学过程。

最终，我们在完全不加外磁场的条件下，实现了手性反铁磁序100% 完全翻转，操控效率也得到大幅提升。同时，我们从理论上破解了手性反铁磁电学操控的 “效率密码”，这一机制也为其他类似材料体系提供了重要参考。实验结果表明，手性反铁磁的电学翻转效率明显优于传统铁磁和反铁磁，为研发超高密度、超快速度、超低功耗的新一代磁存储器，奠定了关键技术基础。

未来，我们团队将继续紧扣国家重大战略需求，重点推进两方面工作：一是加快交错磁体、手性反铁磁两类核心材料的器件化研究，重点攻关磁隧道结、太赫兹纳米振荡器等关键原型器件；二是推动基础研究成果向实际应用转化，力争早日在新一代存储芯片、高灵敏传感器、太赫兹通信器件等方向实现关键技术突破。这些研究一旦取得成功，将有力支撑我国在先进存储、太赫兹技术、人工智能产业等领域实现高质量发展。

1、当前为什么要大力发展磁存储技术？

当前我们正处在大数据和人工智能时代，全球数据量呈现爆炸式增长，这直接带来了两个非常严峻的挑战：算力跟不上、能耗急剧攀升。大家在生活中也能感受到，这几年内存、硬盘经常紧缺，价格成倍上涨，背后就是存储能力跟不上数据增长速度的缘故。诺贝尔物理学奖得主Fert教授曾在2024年预言：“到2030年，信息存储与处理的总能耗将占全球总能耗的20%。” 这也意味着，超快速度、超高密度、超低功耗，已经成为新一代信息技术最核心的发展需求。而磁存储技术以磁体自旋作为信息载体，具备读写速度快、抗辐照能力强和稳定性好等独特优势，是支撑新一代信息技术发展的主流方案之一。所以必须得大力发展。

2、什么是交错磁体？在应用上它厉害在哪儿？

长期以来，磁存储技术一直面临一个两难困境：传统的铁磁材料，用电读写很方便，但自带杂散磁场，材料之间会互相干扰，存储密度做不高，速度也存在理论上限；而反铁磁材料虽然没有杂散场、响应速度可以达到太赫兹级别，但很难用电实现高效读写和控制。过去大家普遍认为，铁磁和反铁磁的特性是相互对立、无法融合的，所以这个瓶颈一直没能取得很好突破。

交错磁体的出现，彻底打破了这一传统认知。它同时融合了铁磁和反铁磁的优势：没有杂散场、响应速度超快，还能方便地实现电学读写，完美契合 “超快、高密度、低功耗” 的存储需求。因此交错磁体也被公认为是新一代磁存储最理想的材料体系，也成为当前国际材料物理和磁学领域的前沿研究热点。

我们团队在 2022 年首次通过实验验证了交错磁体的交错自旋劈裂力矩效应，被国际同行评价为验证交错磁体概念的“原创性实验”；相关研究成果也推动交错磁体材料的发现入选了国际期刊《科学》2024 年度十大科学突破。

3、我国在交错磁体研究领域处于什么水平？

在交错磁体这一前沿领域，我们可以非常自豪地说：中国已经处在世界第一梯队。从交错磁体的发现、理论预言，到实验验证、基础物性研究，我国科学家都做出了大量原创性、引领性的工作，整体研究水平位居国际前列。

以我们团队为例，一旦实现对这类新型磁性材料的高效电学操控，就将为我国在磁存储技术、太赫兹通信等关键战略领域，提供弯道超车的难得机遇。

4、介绍一下团队在2025年发表在Nature上的交错磁体研究成果

在国家基金委项目和北京市非共识项目的支持下，我们团队取得了一项国际首次的重要突破。我们首次明确并验证了：晶体对称性是交错磁体最核心的 “指纹” 特征，也是调控这类材料物态的根本维度。基于这一发现，我们研发出能够在室温下稳定工作的交错磁体材料 ——锑化铬（CrSb），并通过调控晶格结构变化引发磁空间群切换，在国际上首次实现了交错磁体的全电学读写。这样就意味着存储器件无需磁场就能独立工作。这项工作首次完整揭示了交错磁序的物理本质，为交错磁体成为一个独立的新型磁性门类，提供了关键性的实验证据。

一会儿大家参观的清华大学微纳加工中心，里面有一套很有特色的设备，真空互联系统，这是在北京市高精尖项目的支持下，从2015-2021年近6年的时间搭建成功的，正是制备这类关键材料的核心平台。

5、请介绍一下你们团队最近发表在Nature期刊的新成果

我们团队另一项重大突破，是在零磁场条件下，实现了手性反铁磁序的高效电学操控。在此之前，日本等国际研究团队长期在这一领域占据主导，他们的研究大多需要外加磁场才能实现磁序翻转。但这种方式存在一个核心矛盾：新一代存储追求超高集成密度，磁场源很难微型化，对磁场的高度依赖，严重制约了实际应用。直面这一关键难题，我们团队使用真空互联系统的分子束外延技术，采用全新的同质结设计思路，首次整合了手性反铁磁 “非共线自旋指纹” 的两个核心维度，利用非常规自旋流驱动了手性反铁磁序非常规的磁动力学过程。

最终，我们在完全不加外磁场的条件下，实现了手性反铁磁序100% 完全翻转，操控效率也得到大幅提升。同时，我们从理论上破解了手性反铁磁电学操控的 “效率密码”，这一机制也为其他类似材料体系提供了重要参考。实验结果表明，手性反铁磁的电学翻转效率明显优于传统铁磁和反铁磁，为研发超高密度、超快速度、超低功耗的新一代磁存储器，奠定了关键技术基础。

未来，我们团队将继续紧扣国家重大战略需求，重点推进两方面工作：一是加快交错磁体、手性反铁磁两类核心材料的器件化研究，重点攻关磁隧道结、太赫兹纳米振荡器等关键原型器件；二是推动基础研究成果向实际应用转化，力争早日在新一代存储芯片、高灵敏传感器、太赫兹通信器件等方向实现关键技术突破。这些研究一旦取得成功，将有力支撑我国在先进存储、太赫兹技术、人工智能产业等领域实现高质量发展。