AI导读

亚洲半导体巨头豪掷1360亿美元扩产，台积电560亿美元创纪录投资领跑，70%押注先进制程。三星、SK海力士猛攻HBM产能，华邦电子投资暴涨8倍，行业寒冬后迎来全面反攻。

内容由AI智能生成

IT之家消息，AI 芯片、存储芯片和逻辑处理器需求持续飙升，正在推动亚洲半导体企业大幅提高投资规模。今天晚间，集邦咨询 TrendForce 数据显示，亚洲多家主要芯片厂商今年资本支出预计将超过 1360 亿美元（IT之家注：现汇率约合 9404.47 亿元人民币），比 2025 年增长约 25%，其中台积电、三星电子和 SK 海力士是扩产的核心力量。

亚洲晶圆代工龙头和存储厂商正在显著增加 2026 年投资规模。譬如，台积电今年资本支出将达到 520 亿至 560 亿美元（现汇率约合 3595.83 亿至 3872.43 亿元人民币）的历史新高，同比增长 27% 至 37%。其中约 70% 至 80% 用于先进制程，其余用于特殊制程和先进封装。

中芯国际也保持高水平投资，其资本支出规模几乎与全年营收相当，重点用于本土产能建设。预计该公司 2026 年的资本支出将与 2025 年基本持平，仍将保持在 80 亿美元（现汇率约合 553.2 亿元人民币）以上。

与此同时，三星电子和 SK 海力士也在加大投资力度。TrendForce 预计，三星电子 2026 年资本支出将同比增长约 3.7%，SK 海力士可能提高约 24%。两家公司都在扩大产能，新增产能主要用于 HBM 高带宽存储。

三星计划在 2026 年将 DRAM 产量提高约 20%，重点依托平泽 P4 工厂，并主要生产 10nm 级第六代（1C）DRAM，以配合 HBM4 需求。

SK 海力士方面，EBN 称其清州 M15X 工厂已完成准备，大部分新增产能预计将用于 HBM 生产。

消息称 SK 海力士已经上调 1C DRAM 扩产计划。业内预计到 2027 年第一季度末，其月产能可能达到 17 万至 20 万片，接近原定目标的两倍。

NAND 领域，铠侠与闪迪的联盟也成为扩产最激进的力量之一。预计该合资项目 2026 年资本支出增长约 40%。

值得注意的是，这轮投资潮也蔓延到二线存储厂商。例如，华邦电子计划在 2026 年投入 421 亿新台币（现汇率约合 93 亿元人民币），接近去年的八倍。

华邦电子主要生产用于各类设备存储源代码 NOR 闪存芯片，以及定制化旧制程 DRAM，预计 2026 年第一季度平均售价将上涨 30% 以上。

全球第五大 DRAM 厂商南亚科技也宣布大幅提高投资规模。在经历近三年的行业低迷后，其将 2026 年资本支出提高到此前水平的两倍以上。据悉，南亚科技已经公布 500 亿新台币的资本支出预算，新工厂预计将在 2028 年上半年达到每月 2 万片晶圆产能。

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亚洲半导体巨头豪掷1360亿美元扩产，台积电560亿美元创纪录投资领跑，70%押注先进制程。三星、SK海力士猛攻HBM产能，华邦电子投资暴涨8倍，行业寒冬后迎来全面反攻。

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IT之家消息，AI 芯片、存储芯片和逻辑处理器需求持续飙升，正在推动亚洲半导体企业大幅提高投资规模。今天晚间，集邦咨询 TrendForce 数据显示，亚洲多家主要芯片厂商今年资本支出预计将超过 1360 亿美元（IT之家注：现汇率约合 9404.47 亿元人民币），比 2025 年增长约 25%，其中台积电、三星电子和 SK 海力士是扩产的核心力量。

亚洲晶圆代工龙头和存储厂商正在显著增加 2026 年投资规模。譬如，台积电今年资本支出将达到 520 亿至 560 亿美元（现汇率约合 3595.83 亿至 3872.43 亿元人民币）的历史新高，同比增长 27% 至 37%。其中约 70% 至 80% 用于先进制程，其余用于特殊制程和先进封装。

中芯国际也保持高水平投资，其资本支出规模几乎与全年营收相当，重点用于本土产能建设。预计该公司 2026 年的资本支出将与 2025 年基本持平，仍将保持在 80 亿美元（现汇率约合 553.2 亿元人民币）以上。

与此同时，三星电子和 SK 海力士也在加大投资力度。TrendForce 预计，三星电子 2026 年资本支出将同比增长约 3.7%，SK 海力士可能提高约 24%。两家公司都在扩大产能，新增产能主要用于 HBM 高带宽存储。

三星计划在 2026 年将 DRAM 产量提高约 20%，重点依托平泽 P4 工厂，并主要生产 10nm 级第六代（1C）DRAM，以配合 HBM4 需求。

SK 海力士方面，EBN 称其清州 M15X 工厂已完成准备，大部分新增产能预计将用于 HBM 生产。

消息称 SK 海力士已经上调 1C DRAM 扩产计划。业内预计到 2027 年第一季度末，其月产能可能达到 17 万至 20 万片，接近原定目标的两倍。

NAND 领域，铠侠与闪迪的联盟也成为扩产最激进的力量之一。预计该合资项目 2026 年资本支出增长约 40%。

值得注意的是，这轮投资潮也蔓延到二线存储厂商。例如，华邦电子计划在 2026 年投入 421 亿新台币（现汇率约合 93 亿元人民币），接近去年的八倍。

华邦电子主要生产用于各类设备存储源代码 NOR 闪存芯片，以及定制化旧制程 DRAM，预计 2026 年第一季度平均售价将上涨 30% 以上。

全球第五大 DRAM 厂商南亚科技也宣布大幅提高投资规模。在经历近三年的行业低迷后，其将 2026 年资本支出提高到此前水平的两倍以上。据悉，南亚科技已经公布 500 亿新台币的资本支出预算，新工厂预计将在 2028 年上半年达到每月 2 万片晶圆产能。

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亚洲半导体巨头豪掷1360亿美元扩产，台积电560亿美元创纪录投资领跑，70%押注先进制程。三星、SK海力士猛攻HBM产能，华邦电子投资暴涨8倍，行业寒冬后迎来全面反攻。

内容由AI智能生成

IT之家消息，AI 芯片、存储芯片和逻辑处理器需求持续飙升，正在推动亚洲半导体企业大幅提高投资规模。今天晚间，集邦咨询 TrendForce 数据显示，亚洲多家主要芯片厂商今年资本支出预计将超过 1360 亿美元（IT之家注：现汇率约合 9404.47 亿元人民币），比 2025 年增长约 25%，其中台积电、三星电子和 SK 海力士是扩产的核心力量。

亚洲晶圆代工龙头和存储厂商正在显著增加 2026 年投资规模。譬如，台积电今年资本支出将达到 520 亿至 560 亿美元（现汇率约合 3595.83 亿至 3872.43 亿元人民币）的历史新高，同比增长 27% 至 37%。其中约 70% 至 80% 用于先进制程，其余用于特殊制程和先进封装。

中芯国际也保持高水平投资，其资本支出规模几乎与全年营收相当，重点用于本土产能建设。预计该公司 2026 年的资本支出将与 2025 年基本持平，仍将保持在 80 亿美元（现汇率约合 553.2 亿元人民币）以上。

与此同时，三星电子和 SK 海力士也在加大投资力度。TrendForce 预计，三星电子 2026 年资本支出将同比增长约 3.7%，SK 海力士可能提高约 24%。两家公司都在扩大产能，新增产能主要用于 HBM 高带宽存储。

三星计划在 2026 年将 DRAM 产量提高约 20%，重点依托平泽 P4 工厂，并主要生产 10nm 级第六代（1C）DRAM，以配合 HBM4 需求。

SK 海力士方面，EBN 称其清州 M15X 工厂已完成准备，大部分新增产能预计将用于 HBM 生产。

消息称 SK 海力士已经上调 1C DRAM 扩产计划。业内预计到 2027 年第一季度末，其月产能可能达到 17 万至 20 万片，接近原定目标的两倍。

NAND 领域，铠侠与闪迪的联盟也成为扩产最激进的力量之一。预计该合资项目 2026 年资本支出增长约 40%。

值得注意的是，这轮投资潮也蔓延到二线存储厂商。例如，华邦电子计划在 2026 年投入 421 亿新台币（现汇率约合 93 亿元人民币），接近去年的八倍。

华邦电子主要生产用于各类设备存储源代码 NOR 闪存芯片，以及定制化旧制程 DRAM，预计 2026 年第一季度平均售价将上涨 30% 以上。

全球第五大 DRAM 厂商南亚科技也宣布大幅提高投资规模。在经历近三年的行业低迷后，其将 2026 年资本支出提高到此前水平的两倍以上。据悉，南亚科技已经公布 500 亿新台币的资本支出预算，新工厂预计将在 2028 年上半年达到每月 2 万片晶圆产能。

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亚洲半导体巨头豪掷1360亿美元扩产，台积电560亿美元创纪录投资领跑，70%押注先进制程。三星、SK海力士猛攻HBM产能，华邦电子投资暴涨8倍，行业寒冬后迎来全面反攻。

内容由AI智能生成

IT之家消息，AI 芯片、存储芯片和逻辑处理器需求持续飙升，正在推动亚洲半导体企业大幅提高投资规模。今天晚间，集邦咨询 TrendForce 数据显示，亚洲多家主要芯片厂商今年资本支出预计将超过 1360 亿美元（IT之家注：现汇率约合 9404.47 亿元人民币），比 2025 年增长约 25%，其中台积电、三星电子和 SK 海力士是扩产的核心力量。

亚洲晶圆代工龙头和存储厂商正在显著增加 2026 年投资规模。譬如，台积电今年资本支出将达到 520 亿至 560 亿美元（现汇率约合 3595.83 亿至 3872.43 亿元人民币）的历史新高，同比增长 27% 至 37%。其中约 70% 至 80% 用于先进制程，其余用于特殊制程和先进封装。

中芯国际也保持高水平投资，其资本支出规模几乎与全年营收相当，重点用于本土产能建设。预计该公司 2026 年的资本支出将与 2025 年基本持平，仍将保持在 80 亿美元（现汇率约合 553.2 亿元人民币）以上。

与此同时，三星电子和 SK 海力士也在加大投资力度。TrendForce 预计，三星电子 2026 年资本支出将同比增长约 3.7%，SK 海力士可能提高约 24%。两家公司都在扩大产能，新增产能主要用于 HBM 高带宽存储。

三星计划在 2026 年将 DRAM 产量提高约 20%，重点依托平泽 P4 工厂，并主要生产 10nm 级第六代（1C）DRAM，以配合 HBM4 需求。

SK 海力士方面，EBN 称其清州 M15X 工厂已完成准备，大部分新增产能预计将用于 HBM 生产。

消息称 SK 海力士已经上调 1C DRAM 扩产计划。业内预计到 2027 年第一季度末，其月产能可能达到 17 万至 20 万片，接近原定目标的两倍。

NAND 领域，铠侠与闪迪的联盟也成为扩产最激进的力量之一。预计该合资项目 2026 年资本支出增长约 40%。

值得注意的是，这轮投资潮也蔓延到二线存储厂商。例如，华邦电子计划在 2026 年投入 421 亿新台币（现汇率约合 93 亿元人民币），接近去年的八倍。

华邦电子主要生产用于各类设备存储源代码 NOR 闪存芯片，以及定制化旧制程 DRAM，预计 2026 年第一季度平均售价将上涨 30% 以上。

全球第五大 DRAM 厂商南亚科技也宣布大幅提高投资规模。在经历近三年的行业低迷后，其将 2026 年资本支出提高到此前水平的两倍以上。据悉，南亚科技已经公布 500 亿新台币的资本支出预算，新工厂预计将在 2028 年上半年达到每月 2 万片晶圆产能。

AI导读

亚洲半导体巨头豪掷1360亿美元扩产，台积电560亿美元创纪录投资领跑，70%押注先进制程。三星、SK海力士猛攻HBM产能，华邦电子投资暴涨8倍，行业寒冬后迎来全面反攻。

内容由AI智能生成

IT之家消息，AI 芯片、存储芯片和逻辑处理器需求持续飙升，正在推动亚洲半导体企业大幅提高投资规模。今天晚间，集邦咨询 TrendForce 数据显示，亚洲多家主要芯片厂商今年资本支出预计将超过 1360 亿美元（IT之家注：现汇率约合 9404.47 亿元人民币），比 2025 年增长约 25%，其中台积电、三星电子和 SK 海力士是扩产的核心力量。

亚洲晶圆代工龙头和存储厂商正在显著增加 2026 年投资规模。譬如，台积电今年资本支出将达到 520 亿至 560 亿美元（现汇率约合 3595.83 亿至 3872.43 亿元人民币）的历史新高，同比增长 27% 至 37%。其中约 70% 至 80% 用于先进制程，其余用于特殊制程和先进封装。

中芯国际也保持高水平投资，其资本支出规模几乎与全年营收相当，重点用于本土产能建设。预计该公司 2026 年的资本支出将与 2025 年基本持平，仍将保持在 80 亿美元（现汇率约合 553.2 亿元人民币）以上。

与此同时，三星电子和 SK 海力士也在加大投资力度。TrendForce 预计，三星电子 2026 年资本支出将同比增长约 3.7%，SK 海力士可能提高约 24%。两家公司都在扩大产能，新增产能主要用于 HBM 高带宽存储。

三星计划在 2026 年将 DRAM 产量提高约 20%，重点依托平泽 P4 工厂，并主要生产 10nm 级第六代（1C）DRAM，以配合 HBM4 需求。

SK 海力士方面，EBN 称其清州 M15X 工厂已完成准备，大部分新增产能预计将用于 HBM 生产。

消息称 SK 海力士已经上调 1C DRAM 扩产计划。业内预计到 2027 年第一季度末，其月产能可能达到 17 万至 20 万片，接近原定目标的两倍。

NAND 领域，铠侠与闪迪的联盟也成为扩产最激进的力量之一。预计该合资项目 2026 年资本支出增长约 40%。

值得注意的是，这轮投资潮也蔓延到二线存储厂商。例如，华邦电子计划在 2026 年投入 421 亿新台币（现汇率约合 93 亿元人民币），接近去年的八倍。

华邦电子主要生产用于各类设备存储源代码 NOR 闪存芯片，以及定制化旧制程 DRAM，预计 2026 年第一季度平均售价将上涨 30% 以上。

全球第五大 DRAM 厂商南亚科技也宣布大幅提高投资规模。在经历近三年的行业低迷后，其将 2026 年资本支出提高到此前水平的两倍以上。据悉，南亚科技已经公布 500 亿新台币的资本支出预算，新工厂预计将在 2028 年上半年达到每月 2 万片晶圆产能。