AI导读

高性能SiC模块厂商利普思获亿元融资，加速车规级产线布局，产品在新能源重卡、电网及AI数据中心等领域实现量产，海外销售占比近半。

内容由AI智能生成

作者 | 乔钰杰

编辑 | 袁斯来

硬氪获悉，高性能SiC（碳化硅）模块厂家无锡利普思半导体有限公司（下称“利普思”）近日完成亿元PreB+轮融资，新投资方为扬州国金、扬州龙投资本。资金将主要用于公司在扬州布局专业化车规级SiC（碳化硅）模块封装测试基地和市场推广。

利普思成立于2019年，是一家专注于第三代功率半导体SiC模块设计、生产与销售的硬科技企业。

功率半导体是控制电能转换的核心器件。与传统IGBT模块相比，SiC模块具有更高耐压、更低损耗和更高开关频率等优势，在新能源汽车主驱、超级快充、储能、电网设备以及AI算力电源等高压高功率场景中具备明显效率优势。

近几年，随着上游衬底和外延产能快速扩张、成本持续下降，SiC在中高端市场对IGBT的替代正在加速，SiC功率器件年复合增长率已超过30%。

利普思创始人兼CEO丁烜明介绍称，利普思的SiC模块在高温高压高电流的复杂场景中的应用目前已在头部电网设备公司、新能源重卡公司、头部变压器企业实现稳定量产，2026年将进一步在上述市场加速拓展，与更多头部企业展开战略合作。

除汽车与光储充等新能源领域外，AI数据中心被视为SiC应用下一阶段的重要增长点。随着算力需求激增，数据中心对供配电效率和空间利用率提出更高要求。基于SiC器件构建的固态变压器（SST）是实现高压直流架构的核心设备，可显著提升能效并减小体积，是未来电力架构升级主流方向之一。目前，利普思1200V-3300V多款SiC模块已在多家国内外知名客户的SST中获得样品测试，部分项目正处在可靠性验证阶段，预计2027年前后有望迎来可观放量。

在市场端，除国内市场外，海外市场也已成为利普思的重要增长引擎。公司2020年在日本设立全资子公司作为海外研发中心，拥有多位日本籍资深技术专家，同时在欧洲设立销售服务中心，以强化本地化方案解决能力。目前利普思产品已出口超过20个国家，2025年，公司海外销售占比已接近一半。

成立之初，利普思便将技术创新作为公司核心战略。公司在高可靠性封装材料与封装技术上拥有多项专利，并建立了较强的SiC模块自主正向设计能力和体系。公司是国内最早采用自主高导热环氧灌封SiC模块的厂商，同时与供应商联合定制高散热绝缘基板材料和工艺，并在封装结构上引入ArcBonding等先进芯片键合技术、内部叠层母排设计等创新技术，以降低模块的杂散电感、提升模块的功率密度与散热能力。应用层面，公司掌握SiC模组的高度集成能力，擅长于高压高温高电流等复杂场景中的应用。

（图源/企业）

利普思在无锡建有先进的可靠性实验室、FA实验室和应用测试实验室，具备完善的仿真、验证与检测能力，并通过了汽车IATF16949质量体系认证。目前，公司产品覆盖IGBT和SiC两大系列，应用场景包括新能源汽车主驱、电动重卡、储能、电网高压SVG、超充及工业电源等。无锡工厂于2022年投产，年产能约70万只。

本轮融资后，资金将主要用于公司在扬州布局多条车规级SiC模块自动化封装测试产线。该项目总投资达10亿元，规划年产能300万只模块，一期产线预计2026年竣工、2027年3月正式投产。

丁烜明介绍称，相比现有产线，扬州工厂将重点围绕“专业化车规级”标准进行升级：一是按照高端车规标准构建质量与可靠性体系；二是建设与IGBT产线完全分离的专用SiC产线；三是实现全自动化流水线生产；四是支持新一代嵌入式封装结构及客户定制化开发。预计2027年，扬州工厂将具备交付超过200万只模块的能力，助力利普思加速布局电网和AI算力基建。

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高性能SiC模块厂商利普思获亿元融资，加速车规级产线布局，产品在新能源重卡、电网及AI数据中心等领域实现量产，海外销售占比近半。

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作者 | 乔钰杰

编辑 | 袁斯来

硬氪获悉，高性能SiC（碳化硅）模块厂家无锡利普思半导体有限公司（下称“利普思”）近日完成亿元PreB+轮融资，新投资方为扬州国金、扬州龙投资本。资金将主要用于公司在扬州布局专业化车规级SiC（碳化硅）模块封装测试基地和市场推广。

利普思成立于2019年，是一家专注于第三代功率半导体SiC模块设计、生产与销售的硬科技企业。

功率半导体是控制电能转换的核心器件。与传统IGBT模块相比，SiC模块具有更高耐压、更低损耗和更高开关频率等优势，在新能源汽车主驱、超级快充、储能、电网设备以及AI算力电源等高压高功率场景中具备明显效率优势。

近几年，随着上游衬底和外延产能快速扩张、成本持续下降，SiC在中高端市场对IGBT的替代正在加速，SiC功率器件年复合增长率已超过30%。

利普思创始人兼CEO丁烜明介绍称，利普思的SiC模块在高温高压高电流的复杂场景中的应用目前已在头部电网设备公司、新能源重卡公司、头部变压器企业实现稳定量产，2026年将进一步在上述市场加速拓展，与更多头部企业展开战略合作。

除汽车与光储充等新能源领域外，AI数据中心被视为SiC应用下一阶段的重要增长点。随着算力需求激增，数据中心对供配电效率和空间利用率提出更高要求。基于SiC器件构建的固态变压器（SST）是实现高压直流架构的核心设备，可显著提升能效并减小体积，是未来电力架构升级主流方向之一。目前，利普思1200V-3300V多款SiC模块已在多家国内外知名客户的SST中获得样品测试，部分项目正处在可靠性验证阶段，预计2027年前后有望迎来可观放量。

在市场端，除国内市场外，海外市场也已成为利普思的重要增长引擎。公司2020年在日本设立全资子公司作为海外研发中心，拥有多位日本籍资深技术专家，同时在欧洲设立销售服务中心，以强化本地化方案解决能力。目前利普思产品已出口超过20个国家，2025年，公司海外销售占比已接近一半。

成立之初，利普思便将技术创新作为公司核心战略。公司在高可靠性封装材料与封装技术上拥有多项专利，并建立了较强的SiC模块自主正向设计能力和体系。公司是国内最早采用自主高导热环氧灌封SiC模块的厂商，同时与供应商联合定制高散热绝缘基板材料和工艺，并在封装结构上引入ArcBonding等先进芯片键合技术、内部叠层母排设计等创新技术，以降低模块的杂散电感、提升模块的功率密度与散热能力。应用层面，公司掌握SiC模组的高度集成能力，擅长于高压高温高电流等复杂场景中的应用。

（图源/企业）

利普思在无锡建有先进的可靠性实验室、FA实验室和应用测试实验室，具备完善的仿真、验证与检测能力，并通过了汽车IATF16949质量体系认证。目前，公司产品覆盖IGBT和SiC两大系列，应用场景包括新能源汽车主驱、电动重卡、储能、电网高压SVG、超充及工业电源等。无锡工厂于2022年投产，年产能约70万只。

本轮融资后，资金将主要用于公司在扬州布局多条车规级SiC模块自动化封装测试产线。该项目总投资达10亿元，规划年产能300万只模块，一期产线预计2026年竣工、2027年3月正式投产。

丁烜明介绍称，相比现有产线，扬州工厂将重点围绕“专业化车规级”标准进行升级：一是按照高端车规标准构建质量与可靠性体系；二是建设与IGBT产线完全分离的专用SiC产线；三是实现全自动化流水线生产；四是支持新一代嵌入式封装结构及客户定制化开发。预计2027年，扬州工厂将具备交付超过200万只模块的能力，助力利普思加速布局电网和AI算力基建。

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高性能SiC模块厂商利普思获亿元融资，加速车规级产线布局，产品在新能源重卡、电网及AI数据中心等领域实现量产，海外销售占比近半。

内容由AI智能生成

作者 | 乔钰杰

编辑 | 袁斯来

硬氪获悉，高性能SiC（碳化硅）模块厂家无锡利普思半导体有限公司（下称“利普思”）近日完成亿元PreB+轮融资，新投资方为扬州国金、扬州龙投资本。资金将主要用于公司在扬州布局专业化车规级SiC（碳化硅）模块封装测试基地和市场推广。

利普思成立于2019年，是一家专注于第三代功率半导体SiC模块设计、生产与销售的硬科技企业。

功率半导体是控制电能转换的核心器件。与传统IGBT模块相比，SiC模块具有更高耐压、更低损耗和更高开关频率等优势，在新能源汽车主驱、超级快充、储能、电网设备以及AI算力电源等高压高功率场景中具备明显效率优势。

近几年，随着上游衬底和外延产能快速扩张、成本持续下降，SiC在中高端市场对IGBT的替代正在加速，SiC功率器件年复合增长率已超过30%。

利普思创始人兼CEO丁烜明介绍称，利普思的SiC模块在高温高压高电流的复杂场景中的应用目前已在头部电网设备公司、新能源重卡公司、头部变压器企业实现稳定量产，2026年将进一步在上述市场加速拓展，与更多头部企业展开战略合作。

除汽车与光储充等新能源领域外，AI数据中心被视为SiC应用下一阶段的重要增长点。随着算力需求激增，数据中心对供配电效率和空间利用率提出更高要求。基于SiC器件构建的固态变压器（SST）是实现高压直流架构的核心设备，可显著提升能效并减小体积，是未来电力架构升级主流方向之一。目前，利普思1200V-3300V多款SiC模块已在多家国内外知名客户的SST中获得样品测试，部分项目正处在可靠性验证阶段，预计2027年前后有望迎来可观放量。

在市场端，除国内市场外，海外市场也已成为利普思的重要增长引擎。公司2020年在日本设立全资子公司作为海外研发中心，拥有多位日本籍资深技术专家，同时在欧洲设立销售服务中心，以强化本地化方案解决能力。目前利普思产品已出口超过20个国家，2025年，公司海外销售占比已接近一半。

成立之初，利普思便将技术创新作为公司核心战略。公司在高可靠性封装材料与封装技术上拥有多项专利，并建立了较强的SiC模块自主正向设计能力和体系。公司是国内最早采用自主高导热环氧灌封SiC模块的厂商，同时与供应商联合定制高散热绝缘基板材料和工艺，并在封装结构上引入ArcBonding等先进芯片键合技术、内部叠层母排设计等创新技术，以降低模块的杂散电感、提升模块的功率密度与散热能力。应用层面，公司掌握SiC模组的高度集成能力，擅长于高压高温高电流等复杂场景中的应用。

（图源/企业）

利普思在无锡建有先进的可靠性实验室、FA实验室和应用测试实验室，具备完善的仿真、验证与检测能力，并通过了汽车IATF16949质量体系认证。目前，公司产品覆盖IGBT和SiC两大系列，应用场景包括新能源汽车主驱、电动重卡、储能、电网高压SVG、超充及工业电源等。无锡工厂于2022年投产，年产能约70万只。

本轮融资后，资金将主要用于公司在扬州布局多条车规级SiC模块自动化封装测试产线。该项目总投资达10亿元，规划年产能300万只模块，一期产线预计2026年竣工、2027年3月正式投产。

丁烜明介绍称，相比现有产线，扬州工厂将重点围绕“专业化车规级”标准进行升级：一是按照高端车规标准构建质量与可靠性体系；二是建设与IGBT产线完全分离的专用SiC产线；三是实现全自动化流水线生产；四是支持新一代嵌入式封装结构及客户定制化开发。预计2027年，扬州工厂将具备交付超过200万只模块的能力，助力利普思加速布局电网和AI算力基建。

AI导读

高性能SiC模块厂商利普思获亿元融资，加速车规级产线布局，产品在新能源重卡、电网及AI数据中心等领域实现量产，海外销售占比近半。

内容由AI智能生成

作者 | 乔钰杰

编辑 | 袁斯来

硬氪获悉，高性能SiC（碳化硅）模块厂家无锡利普思半导体有限公司（下称“利普思”）近日完成亿元PreB+轮融资，新投资方为扬州国金、扬州龙投资本。资金将主要用于公司在扬州布局专业化车规级SiC（碳化硅）模块封装测试基地和市场推广。

利普思成立于2019年，是一家专注于第三代功率半导体SiC模块设计、生产与销售的硬科技企业。

功率半导体是控制电能转换的核心器件。与传统IGBT模块相比，SiC模块具有更高耐压、更低损耗和更高开关频率等优势，在新能源汽车主驱、超级快充、储能、电网设备以及AI算力电源等高压高功率场景中具备明显效率优势。

近几年，随着上游衬底和外延产能快速扩张、成本持续下降，SiC在中高端市场对IGBT的替代正在加速，SiC功率器件年复合增长率已超过30%。

利普思创始人兼CEO丁烜明介绍称，利普思的SiC模块在高温高压高电流的复杂场景中的应用目前已在头部电网设备公司、新能源重卡公司、头部变压器企业实现稳定量产，2026年将进一步在上述市场加速拓展，与更多头部企业展开战略合作。

除汽车与光储充等新能源领域外，AI数据中心被视为SiC应用下一阶段的重要增长点。随着算力需求激增，数据中心对供配电效率和空间利用率提出更高要求。基于SiC器件构建的固态变压器（SST）是实现高压直流架构的核心设备，可显著提升能效并减小体积，是未来电力架构升级主流方向之一。目前，利普思1200V-3300V多款SiC模块已在多家国内外知名客户的SST中获得样品测试，部分项目正处在可靠性验证阶段，预计2027年前后有望迎来可观放量。

在市场端，除国内市场外，海外市场也已成为利普思的重要增长引擎。公司2020年在日本设立全资子公司作为海外研发中心，拥有多位日本籍资深技术专家，同时在欧洲设立销售服务中心，以强化本地化方案解决能力。目前利普思产品已出口超过20个国家，2025年，公司海外销售占比已接近一半。

成立之初，利普思便将技术创新作为公司核心战略。公司在高可靠性封装材料与封装技术上拥有多项专利，并建立了较强的SiC模块自主正向设计能力和体系。公司是国内最早采用自主高导热环氧灌封SiC模块的厂商，同时与供应商联合定制高散热绝缘基板材料和工艺，并在封装结构上引入ArcBonding等先进芯片键合技术、内部叠层母排设计等创新技术，以降低模块的杂散电感、提升模块的功率密度与散热能力。应用层面，公司掌握SiC模组的高度集成能力，擅长于高压高温高电流等复杂场景中的应用。

（图源/企业）

利普思在无锡建有先进的可靠性实验室、FA实验室和应用测试实验室，具备完善的仿真、验证与检测能力，并通过了汽车IATF16949质量体系认证。目前，公司产品覆盖IGBT和SiC两大系列，应用场景包括新能源汽车主驱、电动重卡、储能、电网高压SVG、超充及工业电源等。无锡工厂于2022年投产，年产能约70万只。

本轮融资后，资金将主要用于公司在扬州布局多条车规级SiC模块自动化封装测试产线。该项目总投资达10亿元，规划年产能300万只模块，一期产线预计2026年竣工、2027年3月正式投产。

丁烜明介绍称，相比现有产线，扬州工厂将重点围绕“专业化车规级”标准进行升级：一是按照高端车规标准构建质量与可靠性体系；二是建设与IGBT产线完全分离的专用SiC产线；三是实现全自动化流水线生产；四是支持新一代嵌入式封装结构及客户定制化开发。预计2027年，扬州工厂将具备交付超过200万只模块的能力，助力利普思加速布局电网和AI算力基建。

AI导读

高性能SiC模块厂商利普思获亿元融资，加速车规级产线布局，产品在新能源重卡、电网及AI数据中心等领域实现量产，海外销售占比近半。

内容由AI智能生成

作者 | 乔钰杰

编辑 | 袁斯来

硬氪获悉，高性能SiC（碳化硅）模块厂家无锡利普思半导体有限公司（下称“利普思”）近日完成亿元PreB+轮融资，新投资方为扬州国金、扬州龙投资本。资金将主要用于公司在扬州布局专业化车规级SiC（碳化硅）模块封装测试基地和市场推广。

利普思成立于2019年，是一家专注于第三代功率半导体SiC模块设计、生产与销售的硬科技企业。

功率半导体是控制电能转换的核心器件。与传统IGBT模块相比，SiC模块具有更高耐压、更低损耗和更高开关频率等优势，在新能源汽车主驱、超级快充、储能、电网设备以及AI算力电源等高压高功率场景中具备明显效率优势。

近几年，随着上游衬底和外延产能快速扩张、成本持续下降，SiC在中高端市场对IGBT的替代正在加速，SiC功率器件年复合增长率已超过30%。

利普思创始人兼CEO丁烜明介绍称，利普思的SiC模块在高温高压高电流的复杂场景中的应用目前已在头部电网设备公司、新能源重卡公司、头部变压器企业实现稳定量产，2026年将进一步在上述市场加速拓展，与更多头部企业展开战略合作。

除汽车与光储充等新能源领域外，AI数据中心被视为SiC应用下一阶段的重要增长点。随着算力需求激增，数据中心对供配电效率和空间利用率提出更高要求。基于SiC器件构建的固态变压器（SST）是实现高压直流架构的核心设备，可显著提升能效并减小体积，是未来电力架构升级主流方向之一。目前，利普思1200V-3300V多款SiC模块已在多家国内外知名客户的SST中获得样品测试，部分项目正处在可靠性验证阶段，预计2027年前后有望迎来可观放量。

在市场端，除国内市场外，海外市场也已成为利普思的重要增长引擎。公司2020年在日本设立全资子公司作为海外研发中心，拥有多位日本籍资深技术专家，同时在欧洲设立销售服务中心，以强化本地化方案解决能力。目前利普思产品已出口超过20个国家，2025年，公司海外销售占比已接近一半。

成立之初，利普思便将技术创新作为公司核心战略。公司在高可靠性封装材料与封装技术上拥有多项专利，并建立了较强的SiC模块自主正向设计能力和体系。公司是国内最早采用自主高导热环氧灌封SiC模块的厂商，同时与供应商联合定制高散热绝缘基板材料和工艺，并在封装结构上引入ArcBonding等先进芯片键合技术、内部叠层母排设计等创新技术，以降低模块的杂散电感、提升模块的功率密度与散热能力。应用层面，公司掌握SiC模组的高度集成能力，擅长于高压高温高电流等复杂场景中的应用。

（图源/企业）

利普思在无锡建有先进的可靠性实验室、FA实验室和应用测试实验室，具备完善的仿真、验证与检测能力，并通过了汽车IATF16949质量体系认证。目前，公司产品覆盖IGBT和SiC两大系列，应用场景包括新能源汽车主驱、电动重卡、储能、电网高压SVG、超充及工业电源等。无锡工厂于2022年投产，年产能约70万只。

本轮融资后，资金将主要用于公司在扬州布局多条车规级SiC模块自动化封装测试产线。该项目总投资达10亿元，规划年产能300万只模块，一期产线预计2026年竣工、2027年3月正式投产。

丁烜明介绍称，相比现有产线，扬州工厂将重点围绕“专业化车规级”标准进行升级：一是按照高端车规标准构建质量与可靠性体系；二是建设与IGBT产线完全分离的专用SiC产线；三是实现全自动化流水线生产；四是支持新一代嵌入式封装结构及客户定制化开发。预计2027年，扬州工厂将具备交付超过200万只模块的能力，助力利普思加速布局电网和AI算力基建。