开新能源车跑高速到服务区充电，用10分钟即可将电量从20%充到80%，空调全开、动力拉满，电池还稳稳当当；戈壁光伏电站，风吹日晒十几年，发电效率依然接近满分。

这些场景，正在定义下一代功率半导体的技术边界。而站在这个边界最前沿的，是一种被称为“第四代半导体明珠”的材料——氧化镓。

长期以来，大尺寸外延片的制备难题，一直是制约氧化镓产业化的核心瓶颈。此前全球主流技术停留在2-4英寸水平，严重限制了规模化应用。

这一局面，终于在近日，被浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院研究团队打破。依托科创中心自主孵育的科学公司杭州镓仁半导体有限公司，团队成功实现高质量8英寸氧化镓同质外延生长，在全球范围内尚属首次。经权威检测：平均厚度达13.05微米，厚度均匀性方差仅0.58%；载流子浓度平均1.79×10¹⁶ cm⁻³，分布高度均匀。

这组数据意味着：中国在第四代半导体核心外延技术领域，已站上全球制高点。

氧化镓之所以备受瞩目，源于其与生俱来的物理特性：它的禁带宽度约4.8 eV，远超硅（1.1 eV）、碳化硅（3.3 eV），这意味着器件可以在更高温度下稳定运行——发动机舱内150℃的高温环境，硅早已“中暑”，而氧化镓依然游刃有余。

外延膜厚测试点位分布结果

外延载流子浓度分布云图

它的击穿电场强度约8MV/cm，是硅的26倍、碳化硅的3倍以上。打个比方：如果把电流比作水流，氧化镓就像能承受超高水压的特种钢管，而硅只是普通塑料软管。

它的巴利加优值约为碳化硅的10倍、氮化镓的4倍。翻译成工程语言就是：用氧化镓做的功率器件，导通电阻更小、能量转换效率更高——电动汽车跑得更远，光伏电站发得更多。

镓仁半导体的8英寸突破，将从三个层面改写氧化镓产业的游戏规则。

首先是“做大”——从2-4英寸跳到8英寸，单片晶圆能造的芯片数量翻了几倍，成本自然就被摊薄了。氧化镓器件终于有机会从实验室里的“奢侈品”，变成工业界用得起的“日用品”。

其次是“做精”——这次做的是同质外延，打个比方：就像在花岗岩地基上盖石屋，严丝合缝；而不是像过去那样在水泥地上盖木屋，总有缝隙。材料缺陷少了，氧化镓高耐压、低损耗的性能才能真正发挥出来。

最关键的是“接轨”——8英寸正好是现在全球主流芯片产线的标配尺寸。这意味着不需要为了氧化镓重新建一条生产线，直接用现成的设备就能量产。这一跳，直接跨过了从技术到产业最花钱、最费时的门槛。

用一句话总结，技术领先、产线兼容、成本可控，氧化镓大规模应用的大门彻底打开。

我国“十五五”规划已明确：加快宽禁带半导体提质升级，推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化。

氧化镓的意义远超一项技术。在新能源汽车、光伏储能、5G通信等产业高速发展的牵引下，氧化镓凭借其远超硅、碳化硅的物理极限，已成为我国实现科技自立自强、培育新质生产力的关键赛道。在当下全球能源与科技竞争中，它将助力我国打破国外技术封锁，在第四代半导体建立自主可控产业链，实现换道超车。

开新能源车跑高速到服务区充电，用10分钟即可将电量从20%充到80%，空调全开、动力拉满，电池还稳稳当当；戈壁光伏电站，风吹日晒十几年，发电效率依然接近满分。

这些场景，正在定义下一代功率半导体的技术边界。而站在这个边界最前沿的，是一种被称为“第四代半导体明珠”的材料——氧化镓。

长期以来，大尺寸外延片的制备难题，一直是制约氧化镓产业化的核心瓶颈。此前全球主流技术停留在2-4英寸水平，严重限制了规模化应用。

这一局面，终于在近日，被浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院研究团队打破。依托科创中心自主孵育的科学公司杭州镓仁半导体有限公司，团队成功实现高质量8英寸氧化镓同质外延生长，在全球范围内尚属首次。经权威检测：平均厚度达13.05微米，厚度均匀性方差仅0.58%；载流子浓度平均1.79×10¹⁶ cm⁻³，分布高度均匀。

这组数据意味着：中国在第四代半导体核心外延技术领域，已站上全球制高点。

氧化镓之所以备受瞩目，源于其与生俱来的物理特性：它的禁带宽度约4.8 eV，远超硅（1.1 eV）、碳化硅（3.3 eV），这意味着器件可以在更高温度下稳定运行——发动机舱内150℃的高温环境，硅早已“中暑”，而氧化镓依然游刃有余。

外延膜厚测试点位分布结果

外延载流子浓度分布云图

它的击穿电场强度约8MV/cm，是硅的26倍、碳化硅的3倍以上。打个比方：如果把电流比作水流，氧化镓就像能承受超高水压的特种钢管，而硅只是普通塑料软管。

它的巴利加优值约为碳化硅的10倍、氮化镓的4倍。翻译成工程语言就是：用氧化镓做的功率器件，导通电阻更小、能量转换效率更高——电动汽车跑得更远，光伏电站发得更多。

镓仁半导体的8英寸突破，将从三个层面改写氧化镓产业的游戏规则。

首先是“做大”——从2-4英寸跳到8英寸，单片晶圆能造的芯片数量翻了几倍，成本自然就被摊薄了。氧化镓器件终于有机会从实验室里的“奢侈品”，变成工业界用得起的“日用品”。

其次是“做精”——这次做的是同质外延，打个比方：就像在花岗岩地基上盖石屋，严丝合缝；而不是像过去那样在水泥地上盖木屋，总有缝隙。材料缺陷少了，氧化镓高耐压、低损耗的性能才能真正发挥出来。

最关键的是“接轨”——8英寸正好是现在全球主流芯片产线的标配尺寸。这意味着不需要为了氧化镓重新建一条生产线，直接用现成的设备就能量产。这一跳，直接跨过了从技术到产业最花钱、最费时的门槛。

用一句话总结，技术领先、产线兼容、成本可控，氧化镓大规模应用的大门彻底打开。

我国“十五五”规划已明确：加快宽禁带半导体提质升级，推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化。

氧化镓的意义远超一项技术。在新能源汽车、光伏储能、5G通信等产业高速发展的牵引下，氧化镓凭借其远超硅、碳化硅的物理极限，已成为我国实现科技自立自强、培育新质生产力的关键赛道。在当下全球能源与科技竞争中，它将助力我国打破国外技术封锁，在第四代半导体建立自主可控产业链，实现换道超车。

开新能源车跑高速到服务区充电，用10分钟即可将电量从20%充到80%，空调全开、动力拉满，电池还稳稳当当；戈壁光伏电站，风吹日晒十几年，发电效率依然接近满分。

这些场景，正在定义下一代功率半导体的技术边界。而站在这个边界最前沿的，是一种被称为“第四代半导体明珠”的材料——氧化镓。

长期以来，大尺寸外延片的制备难题，一直是制约氧化镓产业化的核心瓶颈。此前全球主流技术停留在2-4英寸水平，严重限制了规模化应用。

这一局面，终于在近日，被浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院研究团队打破。依托科创中心自主孵育的科学公司杭州镓仁半导体有限公司，团队成功实现高质量8英寸氧化镓同质外延生长，在全球范围内尚属首次。经权威检测：平均厚度达13.05微米，厚度均匀性方差仅0.58%；载流子浓度平均1.79×10¹⁶ cm⁻³，分布高度均匀。

这组数据意味着：中国在第四代半导体核心外延技术领域，已站上全球制高点。

氧化镓之所以备受瞩目，源于其与生俱来的物理特性：它的禁带宽度约4.8 eV，远超硅（1.1 eV）、碳化硅（3.3 eV），这意味着器件可以在更高温度下稳定运行——发动机舱内150℃的高温环境，硅早已“中暑”，而氧化镓依然游刃有余。

外延膜厚测试点位分布结果

外延载流子浓度分布云图

它的击穿电场强度约8MV/cm，是硅的26倍、碳化硅的3倍以上。打个比方：如果把电流比作水流，氧化镓就像能承受超高水压的特种钢管，而硅只是普通塑料软管。

它的巴利加优值约为碳化硅的10倍、氮化镓的4倍。翻译成工程语言就是：用氧化镓做的功率器件，导通电阻更小、能量转换效率更高——电动汽车跑得更远，光伏电站发得更多。

镓仁半导体的8英寸突破，将从三个层面改写氧化镓产业的游戏规则。

首先是“做大”——从2-4英寸跳到8英寸，单片晶圆能造的芯片数量翻了几倍，成本自然就被摊薄了。氧化镓器件终于有机会从实验室里的“奢侈品”，变成工业界用得起的“日用品”。

其次是“做精”——这次做的是同质外延，打个比方：就像在花岗岩地基上盖石屋，严丝合缝；而不是像过去那样在水泥地上盖木屋，总有缝隙。材料缺陷少了，氧化镓高耐压、低损耗的性能才能真正发挥出来。

最关键的是“接轨”——8英寸正好是现在全球主流芯片产线的标配尺寸。这意味着不需要为了氧化镓重新建一条生产线，直接用现成的设备就能量产。这一跳，直接跨过了从技术到产业最花钱、最费时的门槛。

用一句话总结，技术领先、产线兼容、成本可控，氧化镓大规模应用的大门彻底打开。

我国“十五五”规划已明确：加快宽禁带半导体提质升级，推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化。

氧化镓的意义远超一项技术。在新能源汽车、光伏储能、5G通信等产业高速发展的牵引下，氧化镓凭借其远超硅、碳化硅的物理极限，已成为我国实现科技自立自强、培育新质生产力的关键赛道。在当下全球能源与科技竞争中，它将助力我国打破国外技术封锁，在第四代半导体建立自主可控产业链，实现换道超车。

开新能源车跑高速到服务区充电，用10分钟即可将电量从20%充到80%，空调全开、动力拉满，电池还稳稳当当；戈壁光伏电站，风吹日晒十几年，发电效率依然接近满分。

这些场景，正在定义下一代功率半导体的技术边界。而站在这个边界最前沿的，是一种被称为“第四代半导体明珠”的材料——氧化镓。

长期以来，大尺寸外延片的制备难题，一直是制约氧化镓产业化的核心瓶颈。此前全球主流技术停留在2-4英寸水平，严重限制了规模化应用。

这一局面，终于在近日，被浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院研究团队打破。依托科创中心自主孵育的科学公司杭州镓仁半导体有限公司，团队成功实现高质量8英寸氧化镓同质外延生长，在全球范围内尚属首次。经权威检测：平均厚度达13.05微米，厚度均匀性方差仅0.58%；载流子浓度平均1.79×10¹⁶ cm⁻³，分布高度均匀。

这组数据意味着：中国在第四代半导体核心外延技术领域，已站上全球制高点。

氧化镓之所以备受瞩目，源于其与生俱来的物理特性：它的禁带宽度约4.8 eV，远超硅（1.1 eV）、碳化硅（3.3 eV），这意味着器件可以在更高温度下稳定运行——发动机舱内150℃的高温环境，硅早已“中暑”，而氧化镓依然游刃有余。

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它的击穿电场强度约8MV/cm，是硅的26倍、碳化硅的3倍以上。打个比方：如果把电流比作水流，氧化镓就像能承受超高水压的特种钢管，而硅只是普通塑料软管。

它的巴利加优值约为碳化硅的10倍、氮化镓的4倍。翻译成工程语言就是：用氧化镓做的功率器件，导通电阻更小、能量转换效率更高——电动汽车跑得更远，光伏电站发得更多。

镓仁半导体的8英寸突破，将从三个层面改写氧化镓产业的游戏规则。

首先是“做大”——从2-4英寸跳到8英寸，单片晶圆能造的芯片数量翻了几倍，成本自然就被摊薄了。氧化镓器件终于有机会从实验室里的“奢侈品”，变成工业界用得起的“日用品”。

其次是“做精”——这次做的是同质外延，打个比方：就像在花岗岩地基上盖石屋，严丝合缝；而不是像过去那样在水泥地上盖木屋，总有缝隙。材料缺陷少了，氧化镓高耐压、低损耗的性能才能真正发挥出来。

最关键的是“接轨”——8英寸正好是现在全球主流芯片产线的标配尺寸。这意味着不需要为了氧化镓重新建一条生产线，直接用现成的设备就能量产。这一跳，直接跨过了从技术到产业最花钱、最费时的门槛。

用一句话总结，技术领先、产线兼容、成本可控，氧化镓大规模应用的大门彻底打开。

我国“十五五”规划已明确：加快宽禁带半导体提质升级，推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化。

氧化镓的意义远超一项技术。在新能源汽车、光伏储能、5G通信等产业高速发展的牵引下，氧化镓凭借其远超硅、碳化硅的物理极限，已成为我国实现科技自立自强、培育新质生产力的关键赛道。在当下全球能源与科技竞争中，它将助力我国打破国外技术封锁，在第四代半导体建立自主可控产业链，实现换道超车。

开新能源车跑高速到服务区充电，用10分钟即可将电量从20%充到80%，空调全开、动力拉满，电池还稳稳当当；戈壁光伏电站，风吹日晒十几年，发电效率依然接近满分。

这些场景，正在定义下一代功率半导体的技术边界。而站在这个边界最前沿的，是一种被称为“第四代半导体明珠”的材料——氧化镓。

长期以来，大尺寸外延片的制备难题，一直是制约氧化镓产业化的核心瓶颈。此前全球主流技术停留在2-4英寸水平，严重限制了规模化应用。

这一局面，终于在近日，被浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院研究团队打破。依托科创中心自主孵育的科学公司杭州镓仁半导体有限公司，团队成功实现高质量8英寸氧化镓同质外延生长，在全球范围内尚属首次。经权威检测：平均厚度达13.05微米，厚度均匀性方差仅0.58%；载流子浓度平均1.79×10¹⁶ cm⁻³，分布高度均匀。

这组数据意味着：中国在第四代半导体核心外延技术领域，已站上全球制高点。

氧化镓之所以备受瞩目，源于其与生俱来的物理特性：它的禁带宽度约4.8 eV，远超硅（1.1 eV）、碳化硅（3.3 eV），这意味着器件可以在更高温度下稳定运行——发动机舱内150℃的高温环境，硅早已“中暑”，而氧化镓依然游刃有余。

外延膜厚测试点位分布结果

外延载流子浓度分布云图

它的击穿电场强度约8MV/cm，是硅的26倍、碳化硅的3倍以上。打个比方：如果把电流比作水流，氧化镓就像能承受超高水压的特种钢管，而硅只是普通塑料软管。

它的巴利加优值约为碳化硅的10倍、氮化镓的4倍。翻译成工程语言就是：用氧化镓做的功率器件，导通电阻更小、能量转换效率更高——电动汽车跑得更远，光伏电站发得更多。

镓仁半导体的8英寸突破，将从三个层面改写氧化镓产业的游戏规则。

首先是“做大”——从2-4英寸跳到8英寸，单片晶圆能造的芯片数量翻了几倍，成本自然就被摊薄了。氧化镓器件终于有机会从实验室里的“奢侈品”，变成工业界用得起的“日用品”。

其次是“做精”——这次做的是同质外延，打个比方：就像在花岗岩地基上盖石屋，严丝合缝；而不是像过去那样在水泥地上盖木屋，总有缝隙。材料缺陷少了，氧化镓高耐压、低损耗的性能才能真正发挥出来。

最关键的是“接轨”——8英寸正好是现在全球主流芯片产线的标配尺寸。这意味着不需要为了氧化镓重新建一条生产线，直接用现成的设备就能量产。这一跳，直接跨过了从技术到产业最花钱、最费时的门槛。

用一句话总结，技术领先、产线兼容、成本可控，氧化镓大规模应用的大门彻底打开。

我国“十五五”规划已明确：加快宽禁带半导体提质升级，推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化。

氧化镓的意义远超一项技术。在新能源汽车、光伏储能、5G通信等产业高速发展的牵引下，氧化镓凭借其远超硅、碳化硅的物理极限，已成为我国实现科技自立自强、培育新质生产力的关键赛道。在当下全球能源与科技竞争中，它将助力我国打破国外技术封锁，在第四代半导体建立自主可控产业链，实现换道超车。